一种形成半导体器件金属线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810089379.2

申请日：

2008-04-15

公开(公告)号：

CN101471282A

公开(公告)日：

2009-07-01

发明(设计)人：

郑宇荣

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101611570306 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2008100893792 申请日:20080415 授权公告日:20110511 终止日期:20140415
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-01	公开	公开
2011-05-11	授权	授权

共 50 条

[1]

用于形成半导体器件的金属线的方法 [P].

沈相哲 .

中国专利 :CN101471286A ,2009-07-01

[2]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

表成奎 .

中国专利 :CN1351374A ,2002-05-29

[3]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

金奭中 .

中国专利 :CN102376639A ,2012-03-14

[4]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

金兑京 .

中国专利 :CN1617324A ,2005-05-18

[5]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

金正根 ;

郑哲谟 ;

金恩洙 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101154624A ,2008-04-02

[6]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

郑星熙 .

中国专利 :CN101471287A ,2009-07-01

[7]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

赵直镐 .

中国专利 :CN101246846A ,2008-08-20

[8]

半导体存储器件的金属线的形成方法 [P].

金荣模 ;

黄胜民 .

中国专利 :CN101114608B ,2008-01-30

[9]

用于形成半导体器件的金属线的方法 [P].

郑沖耕 .

中国专利 :CN101882599A ,2010-11-10

[10]

半导体器件的金属线及其制造方法 [P].

洪韺玉 ;

李东奂 .

中国专利 :CN101101904A ,2008-01-09

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