用于等离子体划切期间的划切带热管理的冷却轴架

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580032888.X

申请日：

2015-05-13

公开(公告)号：

CN106463392B

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

R·C·南古伊

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21301

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	授权	授权
2017-02-22	公开	公开
2017-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101723373155 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:201580032888X 申请日:20150513

共 50 条

[1]

在等离子体切割期间通过晶片框架支撑环冷却的切割胶带热管理 [P].

类维生 ;

P·库玛 ;

B·伊顿 ;

A·库玛 .

中国专利 :CN106716602B ,2017-05-24

[2]

用于混合激光划刻和等离子体蚀刻晶片切割工艺的光吸收掩模 [P].

李文广 ;

詹姆斯·S·帕帕努 ;

雷伟圣 ;

普拉巴特·库马尔 ;

布拉德·伊顿 ;

阿杰伊·库马尔 ;

亚历山大·N·勒纳 .

中国专利 :CN110800097A ,2020-02-14

[3]

用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源 [P].

金南宪 .

中国专利 :CN101040366A ,2007-09-19

[4]

用于划切晶片的方法与载具 [P].

J·M·霍尔登 ;

B·伊顿 ;

A·伊耶 ;

A·库玛 .

中国专利 :CN105814666A ,2016-07-27

[5]

使用多程激光划刻工艺及等离子体蚀刻工艺的混合晶片切割方法 [P].

朴正来 ;

詹姆斯·S·帕帕努 ;

艾杰伊·库玛 ;

类维生 .

中国专利 :CN111801788A ,2020-10-20

[6]

使用多程激光划刻工艺及等离子体蚀刻工艺的混合晶片切割方法 [P].

朴正来 ;

詹姆斯·S·帕帕努 ;

艾杰伊·库玛 ;

类维生 .

美国专利 :CN118571796A ,2024-08-30

[7]

使用多程激光划刻工艺及等离子体蚀刻工艺的混合晶片切割方法 [P].

朴正来 ;

詹姆斯·S·帕帕努 ;

艾杰伊·库玛 ;

类维生 .

美国专利 :CN111801788B ,2024-06-25

[8]

用于包括等离子体源的仪器的热管理 [P].

T·S·曾 ;

C·H·C·王 ;

A·伊卡斯安诺 ;

B·钱 .

中国专利 :CN115151799A ,2022-10-04

[9]

用于混合激光刻划与等离子体蚀刻晶片单切处理的具有降低的电流泄漏的静电吸盘 [P].

S·阿比南德 ;

M·索伦森 ;

K·埃卢马莱 ;

D·拉贾帕克萨 ;

C·孙 ;

J·S·帕帕努 ;

G·梅塔 ;

E·S·白 ;

S·斯如纳乌卡拉苏 ;

O·科拉西达玛雅 .

中国专利 :CN114868236A ,2022-08-05

[10]

用于混合式激光划线及等离子体蚀刻晶片切单处理的蚀刻掩模 [P].

W·李 ;

J·S·帕帕努 ;

R·克里希纳穆希 ;

P·库马尔 ;

B·伊顿 ;

A·库马尔 ;

A·N·雷纳 .

中国专利 :CN109155280A ,2019-01-04

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