半导体芯片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880002965.0

申请日：

2018-07-27

公开(公告)号：

CN110024086A

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

中村俊光内山具朗

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21301

IPC分类号：

C09J400 C09J738

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王博;庞东成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	公开	公开
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/301 申请日:20180727

共 50 条

[1]

半导体芯片的制造方法 [P].

内山具朗 ;

阿久津晃 ;

横井启时 .

中国专利 :CN110073469A ,2019-07-30

[2]

半导体芯片的制造方法 [P].

杉田大平 ;

福冈正辉 ;

畠井宗宏 ;

林聪史 ;

下村和弘 ;

北岛义一 ;

大山康彦 .

中国专利 :CN1886822A ,2006-12-27

[3]

半导体芯片的制造方法 [P].

山田忠知 ;

田久真也 .

中国专利 :CN112088421A ,2020-12-15

[4]

半导体芯片的制造方法 [P].

山田忠知 ;

田久真也 .

日本专利 :CN112088421B ,2024-10-29

[5]

半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P].

有田洁 ;

中川显 .

中国专利 :CN100511642C ,2008-04-09

[6]

半导体芯片的制造方法及半导体芯片 [P].

有田洁 .

中国专利 :CN100517645C ,2008-01-16

[7]

切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

铃木英明 ;

土山彩香 ;

佐藤明德 ;

仲秋夏树 .

中国专利 :CN108713241A ,2018-10-26

[8]

半导体芯片的制造方法 [P].

针贝笃史 .

中国专利 :CN103563053A ,2014-02-05

[9]

半导体芯片的制造方法 [P].

有田洁 ;

中川显 .

中国专利 :CN101160653A ,2008-04-09

[10]

半导体芯片的制造方法 [P].

野田一树 ;

岩泽优 .

中国专利 :CN100481387C ,2006-12-27

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