半导体芯片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980030707.8

申请日：

2019-04-26

公开(公告)号：

CN112088421B

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

山田忠知田久真也

申请人：

琳得科株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21/301

IPC分类号：

C09J7/29 C09J201/00 H01L21/304

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王利波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体芯片的制造方法 [P].

山田忠知 ;

田久真也 .

中国专利 :CN112088421A ,2020-12-15

[2]

半导体芯片的制造方法 [P].

杉田大平 ;

福冈正辉 ;

畠井宗宏 ;

林聪史 ;

下村和弘 ;

北岛义一 ;

大山康彦 .

中国专利 :CN1886822A ,2006-12-27

[3]

半导体芯片的制造方法 [P].

中村俊光 ;

内山具朗 .

中国专利 :CN110024086A ,2019-07-16

[4]

切割芯片接合片、半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

铃木英明 ;

土山彩香 ;

佐藤明德 ;

仲秋夏树 .

中国专利 :CN108713241A ,2018-10-26

[5]

半导体芯片的制造方法 [P].

野田一树 ;

岩泽优 .

中国专利 :CN100481387C ,2006-12-27

[6]

半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P].

有田洁 ;

中川显 .

中国专利 :CN100511642C ,2008-04-09

[7]

半导体芯片及半导体芯片的制造方法 [P].

北黑弘一 ;

门西裕 .

中国专利 :CN1190489A ,1998-08-12

[8]

半导体芯片的制造方法及半导体芯片 [P].

有田洁 .

中国专利 :CN100517645C ,2008-01-16

[9]

半导体装置制造用薄膜及半导体装置的制造方法 [P].

菅生悠树 ;

田中俊平 ;

松村健 ;

井上泰史 .

中国专利 :CN102190973A ,2011-09-21

[10]

半导体芯片、半导体晶片以及半导体芯片的制造方法 [P].

内田正雄 ;

林将志 .

中国专利 :CN102782804A ,2012-11-14

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