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一种雪崩二极管低频参数测试装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610722805.6
申请日
:
2016-08-25
公开(公告)号
:
CN106405362A
公开(公告)日
:
2017-02-15
发明(设计)人
:
潘结斌
陈计学
赵娟
朱小燕
房立峰
申请人
:
申请人地址
:
233042 安徽省蚌埠市经济开发区财院路10号
IPC主分类号
:
G01R3126
IPC分类号
:
代理机构
:
安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113
代理人
:
陈俊
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-02-15
公开
公开
2017-03-15
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707270343 IPC(主分类):G01R 31/26 专利申请号:2016107228056 申请日:20160825
2018-12-04
授权
授权
共 50 条
[1]
紫外雪崩二极管测试装置
[P].
申志辉
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申志辉
;
罗木昌
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罗木昌
;
周勋
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周勋
;
龙维刚
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龙维刚
.
中国专利
:CN203490338U
,2014-03-19
[2]
一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置
[P].
陈婧瑶
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陈婧瑶
;
赵娟
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赵娟
;
张帅
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张帅
;
包星晨
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包星晨
;
刘阳
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刘阳
.
中国专利
:CN213517422U
,2021-06-22
[3]
一种雪崩二极管的测试装置
[P].
马睿
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马睿
;
蒋连军
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蒋连军
;
刘酩
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刘酩
.
中国专利
:CN213069073U
,2021-04-27
[4]
机车雪崩型二极管的测试装置
[P].
裴亚军
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裴亚军
.
中国专利
:CN202351386U
,2012-07-25
[5]
TVS二极管测试装置
[P].
万鑫
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机构:
常州银河世纪微电子股份有限公司
常州银河世纪微电子股份有限公司
万鑫
.
中国专利
:CN220795392U
,2024-04-16
[6]
二极管测试装置
[P].
汪良恩
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汪良恩
;
杨华
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杨华
;
朱京江
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朱京江
;
陆安
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陆安
.
中国专利
:CN218383147U
,2023-01-24
[7]
一种二极管TRR参数测试装置
[P].
王久峰
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机构:
吉林华微电子股份有限公司
吉林华微电子股份有限公司
王久峰
;
于洋
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机构:
吉林华微电子股份有限公司
吉林华微电子股份有限公司
于洋
;
常影
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机构:
吉林华微电子股份有限公司
吉林华微电子股份有限公司
常影
;
王斌
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机构:
吉林华微电子股份有限公司
吉林华微电子股份有限公司
王斌
;
孟鹤
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吉林华微电子股份有限公司
吉林华微电子股份有限公司
孟鹤
;
邢文超
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吉林华微电子股份有限公司
吉林华微电子股份有限公司
邢文超
;
于浩文
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机构:
吉林华微电子股份有限公司
吉林华微电子股份有限公司
于浩文
.
中国专利
:CN223284332U
,2025-08-29
[8]
雪崩二极管和雪崩二极管阵列
[P].
L·斯塔克
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L·斯塔克
.
中国专利
:CN206992134U
,2018-02-09
[9]
一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列
[P].
黄继彬
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黄继彬
;
罗永志
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罗永志
;
钟青松
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钟青松
.
中国专利
:CN212750857U
,2021-03-19
[10]
雪崩二极管和二极管
[P].
L·斯塔克
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L·斯塔克
.
中国专利
:CN209169161U
,2019-07-26
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