学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202021673917.5
申请日：
2020-08-12
公开(公告)号：
CN212750857U
公开(公告)日：
2021-03-19
发明(设计)人：
黄继彬 罗永志 钟青松
申请人：
申请人地址：
610000 四川省成都市锦江区一环路东五段108号
IPC主分类号：
H01L2304
IPC分类号：
H01L2324 H01L23367 H01L29861
代理机构：
成都佳划信知识产权代理有限公司 51266
代理人：
任远高
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-03-19 授权 授权
共 50 条
[1]
雪崩二极管和雪崩二极管阵列 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN206992134U ,2018-02-09
[2]
雪崩二极管和二极管 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN209169161U ,2019-07-26
[3]
雪崩二极管和制造雪崩二极管的方法 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN109713075A ,2019-05-03
[4]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17
[5]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN111033759B ,2025-06-27
[6]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07
[7]
雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列 [P]. 
笹畑圭史 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN102800715A ,2012-11-28
[8]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11
[9]
雪崩二极管装置 [P]. 
刘超晖 ;
马静 ;
兰潇健 .
中国专利 :CN117316961B ,2024-03-12
[10]
雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法 [P]. 
内纳德·利利奇 ;
罗伯特·卡佩尔 ;
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN110785932B ,2024-05-14
12345