雪崩二极管和制造雪崩二极管的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811250277.4
申请日
2018-10-25
公开(公告)号
CN109713075A
公开(公告)日
2019-05-03
发明(设计)人
L·斯塔克
申请人
申请人地址
英国白金汉郡
IPC主分类号
H01L31107
IPC分类号
H01L310352 H01L3118
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华;郭星
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
雪崩二极管和雪崩二极管阵列 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN206992134U ,2018-02-09
[2]
雪崩二极管和二极管 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN209169161U ,2019-07-26
[3]
雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法 [P]. 
内纳德·利利奇 ;
罗伯特·卡佩尔 ;
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN110785932B ,2024-05-14
[4]
雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法 [P]. 
内纳德·利利奇 ;
罗伯特·卡佩尔 ;
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN110785932A ,2020-02-11
[5]
一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列 [P]. 
黄继彬 ;
罗永志 ;
钟青松 .
中国专利 :CN212750857U ,2021-03-19
[6]
雪崩二极管装置 [P]. 
刘超晖 ;
马静 ;
兰潇健 .
中国专利 :CN117316961B ,2024-03-12
[7]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17
[8]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN111033759B ,2025-06-27
[9]
雪崩光敏二极管 [P]. 
石桥忠夫 ;
安藤精后 ;
广田幸弘 .
中国专利 :CN100495741C ,2007-02-14
[10]
雪崩光电二极管和用于制造雪崩光电二极管的方法 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN114207846A ,2022-03-18