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雪崩二极管和制造雪崩二极管的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811250277.4
申请日
:
2018-10-25
公开(公告)号
:
CN109713075A
公开(公告)日
:
2019-05-03
发明(设计)人
:
L·斯塔克
申请人
:
申请人地址
:
英国白金汉郡
IPC主分类号
:
H01L31107
IPC分类号
:
H01L310352
H01L3118
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
王茂华;郭星
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-05-28
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20181025
2019-05-03
公开
公开
共 50 条
[1]
雪崩二极管和雪崩二极管阵列
[P].
L·斯塔克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·斯塔克
.
中国专利
:CN206992134U
,2018-02-09
[2]
雪崩二极管和二极管
[P].
L·斯塔克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
L·斯塔克
.
中国专利
:CN209169161U
,2019-07-26
[3]
雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法
[P].
内纳德·利利奇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AMS有限公司
AMS有限公司
内纳德·利利奇
;
罗伯特·卡佩尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AMS有限公司
AMS有限公司
罗伯特·卡佩尔
;
格奥尔格·勒雷尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AMS有限公司
AMS有限公司
格奥尔格·勒雷尔
.
:CN110785932B
,2024-05-14
[4]
雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法
[P].
内纳德·利利奇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
内纳德·利利奇
;
罗伯特·卡佩尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗伯特·卡佩尔
;
格奥尔格·勒雷尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
格奥尔格·勒雷尔
.
中国专利
:CN110785932A
,2020-02-11
[5]
一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列
[P].
黄继彬
论文数:
0
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0
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0
黄继彬
;
罗永志
论文数:
0
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0
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0
罗永志
;
钟青松
论文数:
0
引用数:
0
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0
钟青松
.
中国专利
:CN212750857U
,2021-03-19
[6]
雪崩二极管装置
[P].
刘超晖
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
季华实验室
季华实验室
刘超晖
;
马静
论文数:
0
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0
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机构:
季华实验室
季华实验室
马静
;
兰潇健
论文数:
0
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0
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0
机构:
季华实验室
季华实验室
兰潇健
.
中国专利
:CN117316961B
,2024-03-12
[7]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列
[P].
格奥尔格·勒雷尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
格奥尔格·勒雷尔
.
中国专利
:CN111033759A
,2020-04-17
[8]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列
[P].
格奥尔格·勒雷尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AMS有限公司
AMS有限公司
格奥尔格·勒雷尔
.
:CN111033759B
,2025-06-27
[9]
雪崩光敏二极管
[P].
石桥忠夫
论文数:
0
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0
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0
石桥忠夫
;
安藤精后
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0
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安藤精后
;
广田幸弘
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0
广田幸弘
.
中国专利
:CN100495741C
,2007-02-14
[10]
雪崩光电二极管和用于制造雪崩光电二极管的方法
[P].
格奥尔格·勒雷尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
格奥尔格·勒雷尔
.
中国专利
:CN114207846A
,2022-03-18
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