雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880042012.7
申请日
2018-06-19
公开(公告)号
CN110785932A
公开(公告)日
2020-02-11
发明(设计)人
内纳德·利利奇 罗伯特·卡佩尔 格奥尔格·勒雷尔
申请人
申请人地址
奥地利普伦斯塔滕
IPC主分类号
H03K5153
IPC分类号
代理机构
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413
代理人
谢攀;刘继富
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
雪崩二极管装置和控制雪崩二极管装置的方法 [P]. 
内纳德·利利奇 ;
罗伯特·卡佩尔 ;
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN110785932B ,2024-05-14
[2]
雪崩二极管和雪崩二极管阵列 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN206992134U ,2018-02-09
[3]
雪崩二极管和二极管 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN209169161U ,2019-07-26
[4]
雪崩二极管和制造雪崩二极管的方法 [P]. 
L·斯塔克 .
中国专利 :CN109713075A ,2019-05-03
[5]
雪崩二极管装置 [P]. 
刘超晖 ;
马静 ;
兰潇健 .
中国专利 :CN117316961B ,2024-03-12
[6]
一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列 [P]. 
黄继彬 ;
罗永志 ;
钟青松 .
中国专利 :CN212750857U ,2021-03-19
[7]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17
[8]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN111033759B ,2025-06-27
[9]
雪崩光敏二极管 [P]. 
石桥忠夫 ;
安藤精后 ;
广田幸弘 .
中国专利 :CN100495741C ,2007-02-14
[10]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11