雪崩光电二极管和用于制造雪崩光电二极管的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080054968.6
申请日
2020-05-29
公开(公告)号
CN114207846A
公开(公告)日
2022-03-18
发明(设计)人
格奥尔格·勒雷尔
申请人
申请人地址
奥地利普伦斯塔滕
IPC主分类号
H01L31107
IPC分类号
H01L3118
代理机构
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413
代理人
程强;刘继富
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN100557826C ,2007-10-03
[2]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101431118B ,2009-05-13
[3]
雪崩光电二极管 [P]. 
M·D·莱维 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
V·贾因 ;
R·哈兹布恩 ;
P·东莫 ;
C·E·路斯 ;
S·M·尚克 ;
R·克里希纳萨米 .
美国专利 :CN113540266B ,2025-05-27
[4]
雪崩光电二极管 [P]. 
M·D·莱维 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
V·贾因 ;
R·哈兹布恩 ;
P·东莫 ;
C·E·路斯 ;
S·M·尚克 ;
R·克里希纳萨米 .
中国专利 :CN113540266A ,2021-10-22
[5]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101232057A ,2008-07-30
[6]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101180740A ,2008-05-14
[7]
雪崩光电二极管 [P]. 
A·兹莫 ;
D·戈兰斯基 ;
S·普雷斯 ;
G·玛钱德 .
:CN222582874U ,2025-03-07
[8]
雪崩光电二极管 [P]. 
仇正勇 .
中国专利 :CN203950825U ,2014-11-19
[9]
雪崩光电二极管 [P]. 
夏秋和弘 ;
泷本贵博 ;
內田雅代 .
中国专利 :CN108369968B ,2018-08-03
[10]
雪崩光电二极管 [P]. 
泷本贵博 ;
夏秋和弘 ;
內田雅代 .
中国专利 :CN109804472B ,2019-05-24