雪崩光电二极管及雪崩光电二极管阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210165691.1

申请日：

2012-05-25

公开(公告)号：

CN102800715A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

笹畑圭史中路雅晴

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L31107 H01L2503

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	公开	公开
2015-07-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101717695112 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2012101656911 申请公布日:20121128
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383320213 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2012101656911 申请日:20120525

共 50 条

[1]

雪崩光电二极管阵列 [P].

园部弘典 .

日本专利 :CN117546297A ,2024-02-09

[2]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101431118B ,2009-05-13

[3]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN1933187A ,2007-03-21

[4]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN100557826C ,2007-10-03

[5]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

美国专利 :CN113540266B ,2025-05-27

[6]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

中国专利 :CN113540266A ,2021-10-22

[7]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101232057A ,2008-07-30

[8]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101180740A ,2008-05-14

[9]

雪崩光电二极管 [P].

豊中隆司 ;

田中滋久 ;

松崎秀昭 .

美国专利 :CN120980979A ,2025-11-18

[10]

雪崩光电二极管 [P].

名田允洋 ;

村本好史 ;

中岛史人 ;

松崎秀昭 .

中国专利 :CN107004734A ,2017-08-01

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