一种二硫化钼纳米片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111289730.4

申请日：

2021-11-02

公开(公告)号：

CN113860371A

公开(公告)日：

2021-12-31

发明(设计)人：

许并社欧阳辉灿尚林

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学院区陕西科技大学

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

徐云侠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	公开	公开
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20211102

共 50 条

[1]

一种二硫化钼纳米片的剥离制备方法及二硫化钼纳米片的应用 [P].

陈敬钦 ;

刘成波 ;

盛宗海 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106563130A ,2017-04-19

[2]

一种制备二硫化钼纳米片的方法 [P].

简基康 ;

李燕 ;

吴荣 .

中国专利 :CN103803651B ,2014-05-21

[3]

一种二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

黄青松 ;

齐瑞峰 .

中国专利 :CN114455634B ,2022-05-10

[4]

一种二硫化钼纳米片层的剥离制备方法 [P].

卢红斌 ;

董雷 ;

林珊 ;

李梦雄 ;

张佳佳 .

中国专利 :CN104495935A ,2015-04-08

[5]

一种二硫化钼纳米片及其制备方法 [P].

武卫明 ;

张长松 ;

王书红 ;

周丽敏 ;

郑勇 ;

张楠 ;

侯绍刚 .

中国专利 :CN107512735A ,2017-12-26

[6]

一种竖立二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

郭宗亮 ;

魏爱香 ;

肖志明 ;

招瑜 ;

刘俊 ;

李瑜煜 .

中国专利 :CN108408782A ,2018-08-17

[7]

一种单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106495221A ,2017-03-15

[8]

一种二硫化钼纳米片材料的制备方法 [P].

陈宜波 ;

郑艾龙 ;

黄丽枚 ;

黄志民 .

中国专利 :CN110817961B ,2020-02-21

[9]

一种单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

宋驁天 ;

汪远昊 ;

彭晋卿 ;

詹宸 ;

杜争 .

中国专利 :CN107244697A ,2017-10-13

[10]

一种半导体相二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

陈润锋 ;

王宏磊 ;

黄维 .

中国专利 :CN109879321B ,2019-06-14

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