一种二硫化钼纳米片层的剥离制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410717991.5
申请日
2014-12-03
公开(公告)号
CN104495935A
公开(公告)日
2015-04-08
发明(设计)人
卢红斌 董雷 林珊 李梦雄 张佳佳
申请人
申请人地址
233000 安徽省蚌埠市高新路227号
IPC主分类号
C01G3906
IPC分类号
B82Y3000 B82Y4000
代理机构
上海正旦专利代理有限公司 31200
代理人
张磊
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种二硫化钼纳米片的剥离制备方法及二硫化钼纳米片的应用 [P]. 
陈敬钦 ;
刘成波 ;
盛宗海 ;
宋亮 .
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[2]
一种二硫化钼纳米片的制备方法 [P]. 
许并社 ;
欧阳辉灿 ;
尚林 .
中国专利 :CN113860371A ,2021-12-31
[3]
一种少层二硫化钼纳米片的制备方法 [P]. 
梅青松 ;
廖凌祎 ;
陈子豪 ;
彭宇琦 ;
谭媛媛 ;
张国栋 ;
杨兵 ;
李成林 ;
万亮 .
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[4]
一种简易插层剥离获得二硫化钼纳米片的方法 [P]. 
田正山 ;
曹可生 ;
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理记涛 .
中国专利 :CN107720825A ,2018-02-23
[5]
一种制备二硫化钼纳米片的方法 [P]. 
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[6]
一种二硫化钼纳米片的制备方法 [P]. 
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[7]
一种二硫化钼纳米片及其制备方法 [P]. 
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[8]
一种竖立二硫化钼纳米片的制备方法 [P]. 
郭宗亮 ;
魏爱香 ;
肖志明 ;
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刘俊 ;
李瑜煜 .
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[9]
一种单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P]. 
常焜 ;
李苞 ;
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[10]
一种二硫化钼纳米片材料的制备方法 [P]. 
陈宜波 ;
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