一种简易插层剥离获得二硫化钼纳米片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711233956.6

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

CN107720825A

公开(公告)日：

2018-02-23

发明(设计)人：

田正山曹可生白素贞理记涛

申请人：

申请人地址：

467000 河南省平顶山市新城区未来路南段

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

郑州金成知识产权事务所(普通合伙) 41121

代理人：

郭增欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20171130
2019-02-19	授权	授权
2018-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二硫化钼纳米片层的剥离制备方法 [P].

卢红斌 ;

董雷 ;

林珊 ;

李梦雄 ;

张佳佳 .

中国专利 :CN104495935A ,2015-04-08

[2]

一种二硫化钼纳米片的剥离制备方法及二硫化钼纳米片的应用 [P].

陈敬钦 ;

刘成波 ;

盛宗海 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106563130A ,2017-04-19

[3]

一种纳米二硫化钼的制备方法 [P].

彭润玲 ;

尹沙沙 ;

曾群锋 ;

肖明春 ;

曹蔚 ;

王鹏 .

中国专利 :CN109704406A ,2019-05-03

[4]

一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法 [P].

宇文力辉 ;

汪联辉 ;

于欢 ;

张琦 ;

张玉倩 .

中国专利 :CN104310482A ,2015-01-28

[5]

一种少层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

梅青松 ;

廖凌祎 ;

陈子豪 ;

彭宇琦 ;

谭媛媛 ;

张国栋 ;

杨兵 ;

李成林 ;

万亮 .

中国专利 :CN116282169B ,2025-06-24

[6]

一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法 [P].

胡源 ;

周克清 ;

桂宙 .

中国专利 :CN103275355A ,2013-09-04

[7]

一种单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

宋驁天 ;

汪远昊 ;

彭晋卿 ;

詹宸 ;

杜争 .

中国专利 :CN107244697A ,2017-10-13

[8]

一种少层金属相二硫化钼的制备方法及其应用 [P].

李汗 ;

徐婧 ;

贾庆玲 ;

赵玉洁 ;

袁续龙 ;

魏梓博 ;

施建国 ;

陆顺 ;

李兵 ;

张永兴 .

中国专利 :CN119118198A ,2024-12-13

[9]

一种曲面状二硫化钼纳米片及其制备方法 [P].

马建民 ;

毛玉华 .

中国专利 :CN104108755A ,2014-10-22

[10]

一种二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

许并社 ;

欧阳辉灿 ;

尚林 .

中国专利 :CN113860371A ,2021-12-31

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