介电体陶瓷材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02140717.7

申请日：

2002-07-15

公开(公告)号：

CN1251993C

公开(公告)日：

2003-02-26

发明(设计)人：

本田稔贵松宫正彦土佐晃文

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

H01B312

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

丁香兰;丁业平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-04-19	授权	授权
2022-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/495 申请日:20020715 授权公告日:20060419 终止日期:20210715
2004-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-02-26	公开	公开
2015-03-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101712205737 IPC(主分类):C04B 35/495 专利号:ZL021407177 变更事项:专利权人变更前权利人:日本特殊陶业株式会社变更后权利人:丸和公司变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20150213

共 50 条

[1]

介电陶瓷材料 [P].

周光辉 ;

陈宏裕 ;

王文利 ;

孙亮 .

中国专利 :CN108383523A ,2018-08-10

[2]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[3]

高频介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方亮 ;

张辉 ;

洪学鹍 ;

孟范成 ;

杨俊峰 ;

袁润章 ;

刘韩星 .

中国专利 :CN1179915C ,2003-08-06

[4]

介电陶瓷材料以及相关方法 [P].

M.D.希尔 .

中国专利 :CN102791654B ,2012-11-21

[5]

一种介电陶瓷材料 [P].

程花蕾 ;

王萌 ;

周少丽 ;

史雨辰 ;

李晨阳 .

中国专利 :CN118652509A ,2024-09-17

[6]

介电陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容 [P].

王锡福 ;

赖元正 ;

李建桦 ;

陈明华 .

中国专利 :CN103319167A ,2013-09-25

[7]

中介电高Q微波介电陶瓷材料、陶瓷体及其制备方法 [P].

庞新锋 ;

伍隽 ;

蒋金瑞 .

中国专利 :CN109704764A ,2019-05-03

[8]

中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

张志伟 ;

覃杏柳 .

中国专利 :CN108002836A ,2018-05-08

[9]

一种低介电损耗微波电子陶瓷材料 [P].

王永生 ;

胥阳春 ;

刘珍 ;

侯冬梅 .

中国专利 :CN105036732A ,2015-11-11

[10]

微波介电陶瓷材料的制备方法 [P].

罗安雄 .

中国专利 :CN101696118A ,2010-04-21

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