衬底结构、半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510458907.7

申请日：

2015-07-30

公开(公告)号：

CN105800543B

公开(公告)日：

2016-07-27

发明(设计)人：

张仪贤吴咨亨郑创仁林诗玮杜荣国

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

B81B702

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101675834673 IPC(主分类):B81B 7/02 专利申请号:2015104589077 申请日:20150730
2016-07-27	公开	公开
2019-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

衬底结构、半导体结构及其制造方法 [P].

洪蔡豪 ;

郭仕奇 ;

李宗宪 ;

刘陶承 .

中国专利 :CN106629570A ,2017-05-10

[2]

半导体结构及其衬底、半导体结构及其衬底的制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN114902429A ,2022-08-12

[3]

半导体结构及其衬底、半导体结构及其衬底的制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN114868261A ,2022-08-05

[4]

半导体结构及其衬底、半导体结构及其衬底的制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN114902431A ,2022-08-12

[5]

衬底结构、半导体封装结构及其制造方法 [P].

李育颖 .

中国专利 :CN108461406B ,2018-08-28

[6]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

何政霖 ;

苏洹漳 ;

李志成 .

中国专利 :CN105304602A ,2016-02-03

[7]

半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN106158815A ,2016-11-23

[8]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

李志成 ;

苏洹漳 ;

何政霖 ;

吴崇铭 ;

颜尤龙 .

中国专利 :CN105140198A ,2015-12-09

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

钟红霞 ;

汪海 ;

向波 ;

冯慕缇 ;

靳磊 .

中国专利 :CN121126841A ,2025-12-12

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

许越 .

中国专利 :CN121057210A ,2025-12-02

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