半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511006332.5

申请日：

2025-07-21

公开(公告)号：

CN121126841A

公开(公告)日：

2025-12-12

发明(设计)人：

钟红霞汪海向波冯慕缇靳磊

申请人：

中国地质大学（武汉）

申请人地址：

430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27 H10D64/68 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/52

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

金云花;张颖玲

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-12	公开	公开
2025-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250721

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN114361163A ,2022-04-15

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

方国龙 ;

杨智钧 ;

林汉涂 .

中国专利 :CN100452411C ,2007-08-22

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

李宗霖 ;

李威养 ;

温明璋 ;

詹前泰 ;

叶致锴 ;

林大文 .

中国专利 :CN119108348A ,2024-12-10

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

王嘉亨 ;

吴以雯 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN110875380B ,2025-12-02

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

李冠儒 ;

赖二琨 .

中国专利 :CN104051338B ,2014-09-17

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

M·D·纳伊姆 ;

D·M·多布金斯基 ;

B·Y·金 .

中国专利 :CN101399275A ,2009-04-01

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN1956199B ,2007-05-02

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈荣华 .

中国专利 :CN113629057A ,2021-11-09

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

卡尔·拉登斯 ;

理查德·Q·威廉斯 ;

古川俊治 ;

威廉·汤蒂 .

中国专利 :CN1897286A ,2007-01-17

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

袁光杰 ;

周俊卿 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106558531A ,2017-04-05

← 1 2 3 4 5 →