用于处理硅衬底的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110303337.6

申请日：

2011-09-29

公开(公告)号：

CN102446707A

公开(公告)日：

2012-05-09

发明(设计)人：

安吉秀张承逸

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道安山市檀园区木内洞504番地半月工团17区31号202栋

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

臧建明

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101642785264 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011103033376 放弃生效日:20160113
2012-05-09	公开	公开
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101271731184 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011103033376 申请日:20110929

共 50 条

[1]

用于清洁硅衬底的设备 [P].

马库斯·乌伊莱因 ;

斯特凡·海因里希·韦内特 ;

帕特里克·甘特尔 ;

克劳迪娅·沙夫纳 ;

马丁·韦伯 .

中国专利 :CN202860913U ,2013-04-10

[2]

用于处理衬底的设备和方法 [P].

J·P·加西亚 .

中国专利 :CN1794420B ,2006-06-28

[3]

用于处理半导体层的方法、用于处理硅衬底的方法和用于处理硅层的方法 [P].

G·施密特 ;

M·卡恩 ;

P·S·科施 ;

C·迈尔 ;

J·斯泰恩布伦纳 .

中国专利 :CN106206285B ,2016-12-07

[4]

用于外延衬底的硅晶片的制造方法和外延衬底的制造方法 [P].

藤井达男 .

中国专利 :CN101710566A ,2010-05-19

[5]

用于衬底的表面处理的方法和设备 [P].

M.温普林格 .

中国专利 :CN107078028A ,2017-08-18

[6]

用于衬底的表面处理的方法和设备 [P].

M.温普林格 .

中国专利 :CN111549328A ,2020-08-18

[7]

用于衬底的表面处理的方法和设备 [P].

M.温普林格 .

中国专利 :CN114695134A ,2022-07-01

[8]

用于衬底的表面处理的方法和设备 [P].

M.温普林格 .

中国专利 :CN111549327A ,2020-08-18

[9]

处理衬底的方法和设备 [P].

R·J·奥东内尔 ;

T·W·安德森 .

中国专利 :CN100517585C ,2006-01-25

[10]

用于对准硅衬底上一组图案的方法和设备 [P].

A·麦瑟 ;

M·伯罗斯 ;

H·安东尼亚迪斯 .

中国专利 :CN102439709A ,2012-05-02

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