半导体结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210968883.X

申请日：

2022-08-12

公开(公告)号：

CN115312589A

公开(公告)日：

2022-11-08

发明(设计)人：

王蒙蒙

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2906 H01L27108 H01L2128 H01L218242

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

杨明莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-08	公开	公开
2022-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20220812

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法 [P].

齐栋洋 ;

张静 ;

冯登堂 .

中国专利 :CN117690927B ,2024-06-07

[2]

半导体结构及其制备方法 [P].

齐栋洋 ;

张静 ;

冯登堂 .

中国专利 :CN117690927A ,2024-03-12

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

金星 ;

宣锋 ;

程明霞 .

中国专利 :CN118900558A ,2024-11-05

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

刘张李 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN110071046A ,2019-07-30

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

刘张李 ;

莘海维 .

中国专利 :CN109950301A ,2019-06-28

[6]

半导体结构及其制备方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN114944395A ,2022-08-26

[7]

半导体结构及其制备方法 [P].

蒋维 ;

杨展悌 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 .

中国专利 :CN113707726A ,2021-11-26

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

秦红军 ;

曹佛良 ;

徐佩佩 .

中国专利 :CN118486708A ,2024-08-13

[9]

半导体结构及其制备方法 [P].

武迪 ;

刘克 ;

武昭君 ;

蒋年新 .

中国专利 :CN120076304B ,2025-12-26

[10]

半导体结构及其制备方法 [P].

金娇 ;

刘健 ;

韩宝东 ;

吕浩昌 ;

罗东 ;

关超阳 .

中国专利 :CN120035125A ,2025-05-23

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