半导体元件金属化方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780034994.7

申请日：

2007-09-24

公开(公告)号：

CN101529601A

公开(公告)日：

2009-09-09

发明(设计)人：

安德烈亚斯·格罗厄扬-弗雷德里克·内卡尔达奥利弗·舒尔茨-维特曼

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-09-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101450535525 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2007800349947 公开日:20090909
2009-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体晶片的金属化方法 [P].

W·克斯特勒 ;

B·哈格多恩 .

中国专利 :CN112447885A ,2021-03-05

[2]

用于金属化半导体元件背面的基于激光的方法和加工台 [P].

H·豪泽 ;

J·内卡尔达 ;

R·普罗伊 ;

B·布拉西 .

中国专利 :CN104584230B ,2015-04-29

[3]

半导体元件制造期间的定制金属化图案 [P].

迈克尔·达弗拉 .

中国专利 :CN102246313A ,2011-11-16

[4]

半导体金属化系统和方法 [P].

Y·J·帕克 .

中国专利 :CN1254949A ,2000-05-31

[5]

半导体铜金属化结构 [P].

林育圣 .

美国专利 :CN118315281A ,2024-07-09

[6]

半导体金属化制造过程 [P].

吴孝哲 .

中国专利 :CN1205352C ,2002-05-15

[7]

半导体铜金属化结构 [P].

林育圣 .

中国专利 :CN107799491A ,2018-03-13

[8]

半导体晶片的金属化 [P].

沈仿忠 ;

刘二微 ;

王岚 ;

K-U·博尔特 .

中国专利 :CN114582708A ,2022-06-03

[9]

有机光电半导体元件及其制造方法 [P].

温添进 ;

郭宗枋 ;

许渭州 ;

谢松年 ;

李宬谚 .

中国专利 :CN102270741B ,2011-12-07

[10]

有机光电半导体元件及其制造方法 [P].

温添进 ;

郭宗枋 ;

许渭州 ;

谢松年 ;

李宬谚 .

中国专利 :CN102270740A ,2011-12-07

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