用于半导体晶片的金属化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010883746.7

申请日：

2020-08-28

公开(公告)号：

CN112447885A

公开(公告)日：

2021-03-05

发明(设计)人：

W·克斯特勒 B·哈格多恩

申请人：

申请人地址：

德国海尔伯隆

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310224 H01L310687 H01L310725

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

侯鸣慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20200828
2021-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片的金属化 [P].

沈仿忠 ;

刘二微 ;

王岚 ;

K-U·博尔特 .

中国专利 :CN114582708A ,2022-06-03

[2]

半导体晶片表面金属化的方法 [P].

邓国安 .

中国专利 :CN113136544A ,2021-07-20

[3]

用于半导体晶片的贯通开口的保护方法 [P].

A·弗雷 ;

B·哈格多恩 .

中国专利 :CN112447881A ,2021-03-05

[4]

用于半导体晶片的通孔的钝化方法 [P].

A·弗雷 .

德国专利 :CN118658925A ,2024-09-17

[5]

用于半导体晶片的通孔的钝化方法 [P].

A·弗雷 .

中国专利 :CN112447882A ,2021-03-05

[6]

用于半导体晶片的通孔的钝化方法 [P].

A·弗雷 .

德国专利 :CN112447882B ,2024-07-02

[7]

用于在半导体晶片上结构化绝缘层的方法 [P].

A·弗雷 ;

B·哈格多恩 .

中国专利 :CN114914308A ,2022-08-16

[8]

用于背面金属化的晶片切片的方法 [P].

劳伦斯·斯科特·克林拜尔 ;

科利·格雷格·兰普莱 .

中国专利 :CN107507804A ,2017-12-22

[9]

半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·金勒 ;

G·施密特 ;

M·斯波恩 ;

M·卡恩 ;

J·斯泰恩布伦纳 ;

R·K·乔施 .

中国专利 :CN105185818B ,2015-12-23

[10]

半导体元件金属化方法及其应用 [P].

安德烈亚斯·格罗厄 ;

扬-弗雷德里克·内卡尔达 ;

奥利弗·舒尔茨-维特曼 .

中国专利 :CN101529601A ,2009-09-09

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