从废旧含砷化镓IC元器件中回收砷化镓、铜的方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011138352.5

申请日：

2020-10-22

公开(公告)号：

CN112410585A

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

詹路许振明张永亮

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C22B5800

IPC分类号：

C22B1500 C22B700 C22B100 C01G2800

代理机构：

上海德禾翰通律师事务所 31319

代理人：

夏思秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C22B 58/00 申请日:20201022
2021-09-10	授权	授权
2021-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

从废旧含砷化镓LED电子器件中浸出镓、砷，并同时回收金属银的方法和应用 [P].

詹路 ;

许振明 ;

张永亮 .

中国专利 :CN112280986A ,2021-01-29

[2]

从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法 [P].

郭学益 ;

李平 ;

黄凯 ;

刘荣义 .

中国专利 :CN1693492A ,2005-11-09

[3]

从含油砷化镓泥浆中回收镓的方法 [P].

汪丽红 ;

李琴香 ;

黄华强 ;

朱刘 .

中国专利 :CN106498168A ,2017-03-15

[4]

从砷化镓中提取镓和/或砷 [P].

M·R·西弗斯 .

中国专利 :CN103415634A ,2013-11-27

[5]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN110325672A ,2019-10-11

[6]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN111902573B ,2024-03-08

[7]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113235162A ,2021-08-10

[8]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113215662A ,2021-08-06

[9]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN113235162B ,2024-06-04

[10]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN111902573A ,2020-11-06

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