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一种半导体硅片表面蚀刻装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202121553467.0
申请日：
2021-07-08
公开(公告)号：
CN215183877U
公开(公告)日：
2021-12-14
发明(设计)人：
徐晶骥
董国斌
叶俊
申请人：
申请人地址：
200135 上海市浦东新区自由贸易试验区泰谷路85号六层601-603室
IPC主分类号：
H01L2167
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-14 | 授权 | 授权 |