钴配合物、其制造方法、以及含钴薄膜的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980067199.0
申请日
2019-11-08
公开(公告)号
CN112839924A
公开(公告)日
2021-05-25
发明(设计)人
尾池浩幸 早川哲平 山本有纪 古川泰志 多田贤一
申请人
申请人地址
日本山口县
IPC主分类号
C07C25112
IPC分类号
C07F1506 C07F1900 C07C4912 C07F710 C23C1618
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
沈雪
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
取代环戊二烯基钴络合物及其制造方法、含钴薄膜及其制作方法 [P]. 
小礒尚之 ;
山本有纪 ;
尾池浩幸 ;
早川哲平 ;
古川泰志 ;
多田贤一 .
中国专利 :CN108473521A ,2018-08-31
[2]
钛络合物、其制造方法、及含钛薄膜的制造方法 [P]. 
池村周也 ;
尾池浩幸 ;
山本有纪 ;
早川哲平 .
日本专利 :CN115735266B ,2025-07-08
[3]
含氟聚合物、其制造方法、以及具备含氟聚合物的固化物的物品 [P]. 
杉山德英 .
中国专利 :CN109641992B ,2019-04-16
[4]
纳米钴的制造方法 [P]. 
周瑞敏 ;
何林锋 .
中国专利 :CN1605420A ,2005-04-13
[5]
单核钴配合物及其制备方法 [P]. 
张秀清 ;
范超逸 ;
倪萌 ;
李家星 .
中国专利 :CN105367610A ,2016-03-02
[6]
一种含钴配合物及其制备方法、应用 [P]. 
王毅 ;
潘毅 ;
许志敏 ;
陶香长 ;
邹震雷 ;
黄梦君 ;
虞磊 ;
孔令宇 ;
王晓晨 .
中国专利 :CN116987125B ,2025-08-12
[7]
钌络合物及其制造方法以及含钌薄膜的制作方法 [P]. 
多田贤一 ;
山本俊树 ;
尾池浩幸 ;
摩庭笃 ;
千叶洋一 ;
岩永宏平 ;
河野和久 .
中国专利 :CN104903337A ,2015-09-09
[8]
三核钴配合物及其制备方法 [P]. 
张秀清 ;
范超逸 ;
倪萌 ;
李家星 .
中国专利 :CN105367609A ,2016-03-02
[9]
羰基合钴配合物及其制备方法 [P]. 
王清华 ;
李义和 ;
楚增勇 ;
王璟 ;
胡天娇 ;
蒋正华 ;
王芽 ;
林先忠 ;
宋文轩 .
中国专利 :CN111349121A ,2020-06-30
[10]
二核钴配合物及其制备方法 [P]. 
张全争 ;
程旋 ;
丁咚 ;
陈颍 .
中国专利 :CN103923126B ,2014-07-16