大信号应用的器件模型参数提取方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410464729.4

申请日：

2014-09-12

公开(公告)号：

CN105468803A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

范象泉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	公开	公开
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658479837 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2014104647294 申请日:20140912
2018-07-20	授权	授权

共 50 条

[1]

IGBT物理模型参数提取方法 [P].

罗毅飞 ;

肖飞 ;

刘宾礼 ;

黄永乐 ;

李鑫 ;

段耀强 ;

普靖 ;

熊又星 .

中国专利 :CN110502805A ,2019-11-26

[2]

基于迁移学习的射频器件行为模型参数提取方法 [P].

苏江涛 .

中国专利 :CN119623234A ,2025-03-14

[3]

器件模型参数提取、选型方法和电子设备 [P].

蔡步森 ;

陈欢洋 .

中国专利 :CN120124554A ,2025-06-10

[4]

半导体器件的模型参数提取方法及装置 [P].

张飞翔 ;

余学儒 ;

李琛 ;

陈保安 ;

张娟 .

中国专利 :CN120180846A ,2025-06-20

[5]

器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法 [P].

唐旭升 ;

黄风义 ;

张有明 ;

李剑宏 ;

杨江 .

中国专利 :CN104298837B ,2017-06-13

[6]

用于MOSFET器件模型参数提取的方法及装置 [P].

卜建辉 ;

李莹 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN107238786B ,2017-10-10

[7]

模型参数提取的方法和装置 [P].

三浦规之 .

中国专利 :CN1098502C ,1998-11-04

[8]

集成电路器件的紧凑模型参数提取模型的构建方法及应用 [P].

王兴晟 ;

彭治梁 ;

袁正午 ;

王奕琛 ;

缪向水 .

中国专利 :CN118033385B ,2024-06-07

[9]

集成电路器件的紧凑模型参数提取模型的构建方法及应用 [P].

王兴晟 ;

彭治梁 ;

袁正午 ;

王奕琛 ;

缪向水 .

中国专利 :CN118033385A ,2024-05-14

[10]

一种OLED模型参数提取的方法 [P].

张万鑫 ;

杨思琪 ;

李翡 ;

刘伟平 .

中国专利 :CN111079238B ,2020-04-28

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