一种OLED模型参数提取的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911290633.X

申请日：

2019-12-16

公开(公告)号：

CN111079238B

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

张万鑫杨思琪李翡刘伟平

申请人：

申请人地址：

211800 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2305室

IPC主分类号：

G06F3017

IPC分类号：

G06F3020 G06F11110

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

王金双

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G06F 30/17 变更事项:申请人变更前:南京九芯电子科技有限公司变更后:南京华大九天科技有限公司变更事项:地址变更前:210032 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦A座8层变更后:211800 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2305室
2022-09-02	授权	授权
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/17 申请日:20191216
2020-04-28	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT物理模型参数提取方法 [P].

罗毅飞 ;

肖飞 ;

刘宾礼 ;

黄永乐 ;

李鑫 ;

段耀强 ;

普靖 ;

熊又星 .

中国专利 :CN110502805A ,2019-11-26

[2]

模型参数提取的方法和装置 [P].

三浦规之 .

中国专利 :CN1098502C ,1998-11-04

[3]

一种表面势紧凑模型参数提取方法 [P].

徐跃杭 ;

张佳琪 .

中国专利 :CN109241623A ,2019-01-18

[4]

大信号应用的器件模型参数提取方法 [P].

范象泉 .

中国专利 :CN105468803A ,2016-04-06

[5]

一种BTI模型框架下的模型参数提取方法 [P].

李丰余 .

中国专利 :CN115081236A ,2022-09-20

[6]

一种基于残差网络模型的CMOS集约模型参数提取方法 [P].

丁洁 ;

周奕帆 ;

彭鹏 ;

范绪阁 .

中国专利 :CN118940691A ,2024-11-12

[7]

一种压电悬臂梁电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109190203A ,2019-01-11

[8]

GaAs pHEMT管芯非线性模型参数提取方法 [P].

王志宇 ;

王立平 ;

徐秀琴 ;

郁发新 .

中国专利 :CN103778281A ,2014-05-07

[9]

自加热效应的模型参数提取方法 [P].

吉远倩 .

中国专利 :CN103020371B ,2013-04-03

[10]

RPC模型参数提取方法和几何纠正方法 [P].

马洪超 ;

姚春静 ;

邬建伟 .

中国专利 :CN101216555B ,2008-07-09

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