GaAs pHEMT管芯非线性模型参数提取方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410010775.7

申请日：

2014-01-09

公开(公告)号：

CN103778281A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

王志宇王立平徐秀琴郁发新

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

G06N302

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

杜军

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749350175 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2014100107757 申请公布日:20140507
2014-05-07	公开	公开
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582691548 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:2014100107757 申请日:20140109

共 50 条

[1]

IGBT物理模型参数提取方法 [P].

罗毅飞 ;

肖飞 ;

刘宾礼 ;

黄永乐 ;

李鑫 ;

段耀强 ;

普靖 ;

熊又星 .

中国专利 :CN110502805A ,2019-11-26

[2]

器件等效电路模型参数提取方法及焊盘寄生参数提取方法 [P].

唐旭升 ;

黄风义 ;

张有明 ;

李剑宏 ;

杨江 .

中国专利 :CN104298837B ,2017-06-13

[3]

硅片通孔等效电路模型及模型参数提取方法 [P].

周天舒 ;

蔡描 .

中国专利 :CN102411659A ,2012-04-11

[4]

一种微波氮化镓器件非线性电流模型参数提取方法及系统 [P].

徐跃杭 ;

毛书漫 ;

赵晓冬 ;

乔世阳 ;

陈勇波 ;

汪昌思 ;

高能武 ;

徐锐敏 ;

延波 .

中国专利 :CN108520084B ,2018-09-11

[5]

一种InP HEMT非线性等效电路模型的参数提取方法 [P].

徐佳卉 ;

张傲 ;

高建军 .

中国专利 :CN116011369B ,2025-07-04

[6]

模型参数提取的方法和装置 [P].

三浦规之 .

中国专利 :CN1098502C ,1998-11-04

[7]

一种压电单晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109067242A ,2018-12-21

[8]

一种压电双晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109299506A ,2019-02-01

[9]

大信号应用的器件模型参数提取方法 [P].

范象泉 .

中国专利 :CN105468803A ,2016-04-06

[10]

一种压电多晶片等效电路模型参数提取方法 [P].

马建国 ;

赵升 ;

周绍华 .

中国专利 :CN109190201A ,2019-01-11

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