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一种表面势紧凑模型参数提取方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811040936.1
申请日
:
2018-09-06
公开(公告)号
:
CN109241623A
公开(公告)日
:
2019-01-18
发明(设计)人
:
徐跃杭
张佳琪
申请人
:
申请人地址
:
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
:
G06F1750
IPC分类号
:
代理机构
:
电子科技大学专利中心 51203
代理人
:
邹裕蓉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-01-18
公开
公开
共 50 条
[1]
氮化镓高电子迁移率晶体管小信号模型参数提取方法
[P].
徐跃杭
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徐跃杭
;
闻彰
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闻彰
;
汪昌思
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汪昌思
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赵晓冬
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赵晓冬
;
陈志凯
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陈志凯
;
徐锐敏
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徐锐敏
.
中国专利
:CN105138730B
,2015-12-09
[2]
一种微波晶体管准物理基统计模型参数提取方法
[P].
徐跃杭
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徐跃杭
;
毛书漫
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毛书漫
;
吴韵秋
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吴韵秋
;
徐锐敏
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徐锐敏
;
延波
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延波
.
中国专利
:CN111428437A
,2020-07-17
[3]
氮化镓高电子迁移率晶体管I‑V模型参数的提取方法
[P].
徐跃杭
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徐跃杭
;
闻彰
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闻彰
;
汪昌思
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汪昌思
;
赵晓冬
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赵晓冬
;
徐锐敏
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徐锐敏
.
中国专利
:CN104573330B
,2015-04-29
[4]
一种基于DQN算法的紧凑模型参数提取方法
[P].
邹宁睦
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机构:
南京大学
南京大学
邹宁睦
;
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机构:
张雅丽
;
陈文军
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机构:
南京大学
南京大学
陈文军
;
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机构:
傅玉祥
;
邸康健
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机构:
南京大学
南京大学
邸康健
;
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机构:
陈思霖
.
中国专利
:CN119443012A
,2025-02-14
[5]
氮化镓高电子迁移率晶体管小信号电路模型参数提取方法
[P].
马晓华
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马晓华
;
张恒爽
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张恒爽
;
马佩军
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马佩军
;
郑佳欣
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郑佳欣
;
卢阳
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卢阳
;
赵博超
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赵博超
;
郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN105787210B
,2016-07-20
[6]
IGBT物理模型参数提取方法
[P].
罗毅飞
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罗毅飞
;
肖飞
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肖飞
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刘宾礼
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刘宾礼
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黄永乐
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黄永乐
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李鑫
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李鑫
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段耀强
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段耀强
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普靖
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普靖
;
熊又星
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熊又星
.
中国专利
:CN110502805A
,2019-11-26
[7]
模型参数提取的方法和装置
[P].
三浦规之
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三浦规之
.
中国专利
:CN1098502C
,1998-11-04
[8]
自加热效应的模型参数提取方法
[P].
吉远倩
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吉远倩
.
中国专利
:CN103020371B
,2013-04-03
[9]
一种BTI模型框架下的模型参数提取方法
[P].
李丰余
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李丰余
.
中国专利
:CN115081236A
,2022-09-20
[10]
一种OLED模型参数提取的方法
[P].
张万鑫
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张万鑫
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杨思琪
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杨思琪
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李翡
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李翡
;
刘伟平
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刘伟平
.
中国专利
:CN111079238B
,2020-04-28
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