氮化物基发光器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110140333.0
申请日
2011-05-27
公开(公告)号
CN102651440A
公开(公告)日
2012-08-29
发明(设计)人
陈周 朴健
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L3322
IPC分类号
H01L3332 H01L3300
代理机构
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人
林锦辉;陈英俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物基发光器件及其制造方法 [P]. 
陈周 ;
朴健 .
中国专利 :CN102651434A ,2012-08-29
[2]
氮化物基发光器件及其制造方法 [P]. 
成泰连 ;
金庆国 ;
宋俊午 ;
林东晳 .
中国专利 :CN1677703A ,2005-10-05
[3]
氮化物基发光器件及其制造方法 [P]. 
宋俊午 ;
成泰连 .
中国专利 :CN100361324C ,2005-03-09
[4]
氮化物基发光器件及其制造方法 [P]. 
成泰连 ;
金庆国 ;
宋俊午 ;
林东皙 .
中国专利 :CN1606177A ,2005-04-13
[5]
氮化物基发光器件及其制造方法 [P]. 
宋俊午 .
中国专利 :CN1917245A ,2007-02-21
[6]
氮化物基发光器件及其制造方法 [P]. 
朴性秀 .
中国专利 :CN1996626A ,2007-07-11
[7]
氮化物发光器件及其制造方法 [P]. 
鲁载哲 ;
曹相德 ;
蔡昇完 .
中国专利 :CN1645633A ,2005-07-27
[8]
氮化物基半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
李庭旭 ;
田宪秀 ;
尹皙胡 ;
金柱成 .
中国专利 :CN101017869B ,2007-08-15
[9]
氮化物基半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
尹皙胡 ;
孙哲守 ;
李庭旭 ;
金柱成 .
中国专利 :CN101026212B ,2007-08-29
[10]
氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
崔锡范 ;
吴邦元 ;
崔熙石 .
中国专利 :CN100340007C ,2005-04-13