减少硅晶片中的金属杂质的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580022823.3

申请日：

2005-04-26

公开(公告)号：

CN100466200C

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

L·W·夏夫 B·L·吉尔摩

申请人：

申请人地址：

美国密苏里州

IPC主分类号：

H01L21322

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

马江立;秘凤华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-13	公开	公开
2015-06-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101613986224 IPC(主分类):H01L 21/322 专利号:ZL2005800228233 申请日:20050426 授权公告日:20090304 终止日期:20140426
2007-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

包含硅晶片和碳化硅外延层的复合晶片中晶片弯曲的减少 [P].

P·沃德 .

中国专利 :CN107210190A ,2017-09-26

[2]

抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法 [P].

A·巴斯克 ;

L·伊利戈 ;

J·C·小朱斯 .

中国专利 :CN1361923A ,2002-07-31

[3]

外延硅晶片的杂质吸附能力的评价方法及外延硅晶片 [P].

重松理史 ;

奥山亮辅 ;

栗田一成 .

中国专利 :CN110546745A ,2019-12-06

[4]

硅晶片中转盒 [P].

胡均海 .

中国专利 :CN205984918U ,2017-02-22

[5]

硅晶片的金属污染分析方法和硅晶片的制造方法 [P].

水野泰辅 .

中国专利 :CN110494734B ,2019-11-22

[6]

测量晶片上杂质的装置和测量晶片上杂质的方法 [P].

李成旭 .

中国专利 :CN103443911A ,2013-12-11

[7]

测绘在硅晶片表面上金属杂质浓度的工艺方法 [P].

富泽三和(音译) ;

黑田清(音译) ;

中村则夫(音译) .

中国专利 :CN1350700A ,2002-05-22

[8]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[9]

一种室温下吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法 [P].

徐万劲 ;

秦国刚 ;

张瑜 ;

秦来香 .

中国专利 :CN103794473A ,2014-05-14

[10]

硅晶片的金属污染分析方法 [P].

山下崇史 ;

默罕默德·B.·沙巴尼 .

中国专利 :CN110223927A ,2019-09-10

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