金属氧化物-金属复合溅射靶

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080041069.9
申请日
2010-09-15
公开(公告)号
CN102498233A
公开(公告)日
2012-06-13
发明(设计)人
松崎均 高木胜寿 慈幸范洋 得平雅也
申请人
申请人地址
日本国兵库县
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
G11B726
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
翟赟琪
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
溅射靶材及导电金属氧化物薄膜 [P]. 
卢明昌 ;
尹新淳 ;
张智咏 ;
曾浤豪 .
中国专利 :CN103849842B ,2014-06-11
[2]
氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P]. 
野中荘平 ;
森理恵 ;
长尾昌芳 .
中国专利 :CN110352263A ,2019-10-18
[3]
氧化物溅射靶 [P]. 
山口刚 ;
木内香歩 ;
陆田雄也 .
中国专利 :CN114127029A ,2022-03-01
[4]
氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P]. 
陆田雄也 ;
梅本启太 .
中国专利 :CN114616218A ,2022-06-10
[5]
氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P]. 
梅本启太 ;
陆田雄也 ;
白井孝典 ;
井尾谦介 .
中国专利 :CN112567065A ,2021-03-26
[6]
氧化物溅射靶材 [P]. 
玉田悠 ;
齐藤和也 ;
上坂修治郎 ;
熊谷友正 .
中国专利 :CN106435492A ,2017-02-22
[7]
溅射靶材及氧化金属薄膜 [P]. 
卢明昌 ;
郭芝吟 ;
尹新淳 ;
张智咏 .
中国专利 :CN103540895A ,2014-01-29
[8]
氧化物膜和氧化物溅射靶 [P]. 
山本浩由 ;
奈良淳史 .
日本专利 :CN118401695A ,2024-07-26
[9]
氧化物溅射靶和氧化物膜 [P]. 
宗安慧 ;
奈良淳史 ;
大友大干 .
日本专利 :CN120603983A ,2025-09-05
[10]
烧结氧化物溅射靶组件 [P]. 
石塚庆一 .
中国专利 :CN1287578A ,2001-03-14