溅射靶材及导电金属氧化物薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310092782.1

申请日：

2013-03-21

公开(公告)号：

CN103849842B

公开(公告)日：

2014-06-11

发明(设计)人：

卢明昌尹新淳张智咏曾浤豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾台南市官田区成功街85号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

上海一平知识产权代理有限公司 31266

代理人：

须一平

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-27	授权	授权
2014-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

溅射靶材及氧化金属薄膜 [P].

卢明昌 ;

郭芝吟 ;

尹新淳 ;

张智咏 .

中国专利 :CN103540895A ,2014-01-29

[2]

钼氧化物烧结体、溅射靶材及氧化物薄膜 [P].

张逢中 ;

朴宰成 ;

李孝元 ;

李丞苡 ;

黃炳辰 ;

朴相容 ;

尹垠燮 ;

秦承铉 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN119137085A ,2024-12-13

[3]

氧化物溅射靶材 [P].

玉田悠 ;

齐藤和也 ;

上坂修治郎 ;

熊谷友正 .

中国专利 :CN106435492A ,2017-02-22

[4]

导电氧化物陶瓷溅射靶材的热压制备方法 [P].

王星明 ;

储茂友 ;

邓世斌 ;

韩沧 ;

段华英 ;

孙静 .

中国专利 :CN101209927A ,2008-07-02

[5]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03

[6]

氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 [P].

寺村享祐 .

中国专利 :CN111448336B ,2020-07-24

[7]

钼氧化物基烧结体、包含其的溅射靶材以及氧化物薄膜 [P].

黃炳辰 ;

李丞苡 ;

李孝元 ;

张逢中 ;

田奉埈 ;

秦承铉 ;

朴宰成 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN118119574A ,2024-05-31

[8]

钼氧化物基烧结体、包含其的溅射靶材以及氧化物薄膜 [P].

黃炳辰 ;

李丞苡 ;

李孝元 ;

张逢中 ;

田奉埈 ;

秦承铉 ;

朴宰成 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN118119575A ,2024-05-31

[9]

金属氧化物-金属复合溅射靶 [P].

松崎均 ;

高木胜寿 ;

慈幸范洋 ;

得平雅也 .

中国专利 :CN102498233A ,2012-06-13

[10]

氧化物烧结体及溅射靶材 [P].

宇都野太 ;

井上一吉 ;

川岛浩和 ;

笠见雅司 ;

矢野公规 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN102159517B ,2011-08-17

← 1 2 3 4 5 →