导电氧化物陶瓷溅射靶材的热压制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710304076.3

申请日：

2007-12-25

公开(公告)号：

CN101209927A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

王星明储茂友邓世斌韩沧段华英孙静

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

C04B35645

IPC分类号：

C04B3563 C04B3501

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：

朱琨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183796621 IPC(主分类):C04B 35/645 专利申请号:2007103040763 公开日:20080702
2008-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

溅射靶材及导电金属氧化物薄膜 [P].

卢明昌 ;

尹新淳 ;

张智咏 ;

曾浤豪 .

中国专利 :CN103849842B ,2014-06-11

[2]

氧化物溅射靶材 [P].

玉田悠 ;

齐藤和也 ;

上坂修治郎 ;

熊谷友正 .

中国专利 :CN106435492A ,2017-02-22

[3]

溅射靶、透明导电氧化物和制备该溅射靶的方法 [P].

井上一吉 ;

渋谷忠夫 ;

海上晓 .

中国专利 :CN1379827A ,2002-11-13

[4]

氧化锡陶瓷溅射靶材及其制备方法 [P].

E·梅德维多夫斯基 ;

O·延科夫 ;

C·J·斯则佩西 .

中国专利 :CN102811971A ,2012-12-05

[5]

氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P].

陆田雄也 ;

梅本启太 .

中国专利 :CN114616218A ,2022-06-10

[6]

氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P].

野中荘平 ;

森理恵 ;

长尾昌芳 .

中国专利 :CN110352263A ,2019-10-18

[7]

氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P].

梅本启太 ;

陆田雄也 ;

白井孝典 ;

井尾谦介 .

中国专利 :CN112567065A ,2021-03-26

[8]

多组分氧化物的溅射靶材及其制造方法 [P].

陈科 ;

肖田 .

中国专利 :CN101748363A ,2010-06-23

[9]

一种钽硅氧化物溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

杨慧珍 ;

廖培君 ;

黄东长 .

中国专利 :CN114941127A ,2022-08-26

[10]

氧化物烧结体及溅射靶材 [P].

宇都野太 ;

井上一吉 ;

川岛浩和 ;

笠见雅司 ;

矢野公规 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN102159517B ,2011-08-17

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