氧化物烧结体及溅射靶材

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980136121.6

申请日：

2009-09-14

公开(公告)号：

CN102159517B

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

宇都野太井上一吉川岛浩和笠见雅司矢野公规寺井恒太

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C23C1408 C23C1434

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113915363 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2009801361216 申请日:20090914
2011-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 ;

得平雅也 ;

米田阳一郎 .

中国专利 :CN103201232B ,2013-07-10

[2]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

田尾幸树 ;

金丸守贺 ;

南部旭 ;

畠英雄 .

中国专利 :CN104619673B ,2015-05-13

[3]

钼氧化物烧结体、溅射靶材及氧化物薄膜 [P].

张逢中 ;

朴宰成 ;

李孝元 ;

李丞苡 ;

黃炳辰 ;

朴相容 ;

尹垠燮 ;

秦承铉 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN119137085A ,2024-12-13

[4]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103415488A ,2013-11-27

[5]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

松元谦士 ;

井上雅树 ;

中村信一郎 ;

矢野智泰 .

中国专利 :CN110741106A ,2020-01-31

[6]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110636996B ,2019-12-31

[7]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

后藤裕史 ;

岩崎祐纪 .

中国专利 :CN103429554A ,2013-12-04

[8]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110662727A ,2020-01-07

[9]

氧化物烧结体以及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

竹岛基浩 .

中国专利 :CN109311756B ,2019-02-05

[10]

氧化物溅射靶材 [P].

玉田悠 ;

齐藤和也 ;

上坂修治郎 ;

熊谷友正 .

中国专利 :CN106435492A ,2017-02-22

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