钼氧化物基烧结体、包含其的溅射靶材以及氧化物薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280068863.5

申请日：

2022-10-14

公开(公告)号：

CN118119574A

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

黃炳辰李丞苡李孝元张逢中田奉埈秦承铉朴宰成杨丞浩

申请人：

LT金属株式会社

申请人地址：

韩国仁川市

IPC主分类号：

C04B35/495

IPC分类号：

C23C14/34 C23C14/08 H01L29/786 H10K59/00

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

吴君琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-31	公开	公开
2024-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/495申请日:20221014

共 50 条

[1]

钼氧化物基烧结体、包含其的溅射靶材以及氧化物薄膜 [P].

黃炳辰 ;

李丞苡 ;

李孝元 ;

张逢中 ;

田奉埈 ;

秦承铉 ;

朴宰成 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN118119575A ,2024-05-31

[2]

钼氧化物烧结体、溅射靶材及氧化物薄膜 [P].

张逢中 ;

朴宰成 ;

李孝元 ;

李丞苡 ;

黃炳辰 ;

朴相容 ;

尹垠燮 ;

秦承铉 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN119137085A ,2024-12-13

[3]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03

[4]

以钼氧化物为主成分的金属氧化物烧结体及包含其的溅射靶材 [P].

李孝元 ;

李丞苡 ;

杨丞浩 ;

朴宰成 ;

黄炳辰 ;

张逢中 .

中国专利 :CN114916228A ,2022-08-16

[5]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN107207356B ,2017-09-26

[6]

氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 [P].

寺村享祐 .

中国专利 :CN111448336B ,2020-07-24

[7]

氧化物烧结体以及包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P].

山口洋平 ;

角田浩二 .

中国专利 :CN107428617A ,2017-12-01

[8]

氧化物烧结体及溅射靶材 [P].

宇都野太 ;

井上一吉 ;

川岛浩和 ;

笠见雅司 ;

矢野公规 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN102159517B ,2011-08-17

[9]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[10]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

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