氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510646309.2

申请日：

2015-10-08

公开(公告)号：

CN105481352A

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

奈良淳史

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C23C1408 C23C1434 C04B35622 C04B3564 C04B35645

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/01 申请公布日:20160413
2016-04-13	公开	公开
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669678405 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2015106463092 申请日:20151008

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

[2]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03

[3]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN107207356B ,2017-09-26

[4]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN104736497B ,2015-06-24

[5]

氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105986230A ,2016-10-05

[6]

氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 [P].

寺村享祐 .

中国专利 :CN111448336B ,2020-07-24

[7]

氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法 [P].

寺村享祐 ;

深川功儿 .

中国专利 :CN110770191B ,2020-02-07

[8]

钼氧化物烧结体、溅射靶材及氧化物薄膜 [P].

张逢中 ;

朴宰成 ;

李孝元 ;

李丞苡 ;

黃炳辰 ;

朴相容 ;

尹垠燮 ;

秦承铉 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN119137085A ,2024-12-13

[9]

氧化物烧结体以及包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P].

山口洋平 ;

角田浩二 .

中国专利 :CN107428617A ,2017-12-01

[10]

氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P].

山口洋平 ;

栗原敏也 ;

角田浩二 .

中国专利 :CN107428616A ,2017-12-01

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