氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510043312.5

申请日：

2015-01-28

公开(公告)号：

CN105986230A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

奈良淳史

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	授权	授权
2016-10-05	公开	公开
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686684569 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2015100433125 申请日:20150128

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03

[2]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[3]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

[4]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN107207356B ,2017-09-26

[5]

氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法 [P].

寺村享祐 ;

深川功儿 .

中国专利 :CN110770191B ,2020-02-07

[6]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

松元谦士 ;

井上雅树 ;

中村信一郎 ;

矢野智泰 .

中国专利 :CN110741106A ,2020-01-31

[7]

氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 [P].

寺村享祐 .

中国专利 :CN111448336B ,2020-07-24

[8]

氧化物烧结体以及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

竹岛基浩 .

中国专利 :CN109311756B ,2019-02-05

[9]

氧化物烧结体以及包含该氧化物烧结体的溅射靶 [P].

山口洋平 ;

角田浩二 .

中国专利 :CN107428617A ,2017-12-01

[10]

氧化物烧结体和溅射靶 [P].

白仁田亮 .

中国专利 :CN112262114B ,2021-01-22

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