氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880041330.1

申请日：

2018-08-29

公开(公告)号：

CN110770191B

公开(公告)日：

2020-02-07

发明(设计)人：

寺村享祐深川功儿

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C23C1434 H01L21203

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈建全

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	授权	授权
2020-02-07	公开	公开
2020-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/453 申请日:20180829

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN107207356B ,2017-09-26

[2]

氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 [P].

寺村享祐 .

中国专利 :CN111448336B ,2020-07-24

[3]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03

[4]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[5]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

[6]

氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105986230A ,2016-10-05

[7]

氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体 [P].

奈良淳史 ;

宗安慧 .

中国专利 :CN110637102A ,2019-12-31

[8]

钼氧化物烧结体、溅射靶材及氧化物薄膜 [P].

张逢中 ;

朴宰成 ;

李孝元 ;

李丞苡 ;

黃炳辰 ;

朴相容 ;

尹垠燮 ;

秦承铉 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN119137085A ,2024-12-13

[9]

氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜 [P].

宗安慧 ;

奈良淳史 .

日本专利 :CN114959594B ,2024-07-19

[10]

氧化物烧结体和溅射靶 [P].

白仁田亮 .

中国专利 :CN112262114B ,2021-01-22

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