氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111358250.9
申请日
2021-11-16
公开(公告)号
CN114959594B
公开(公告)日
2024-07-19
发明(设计)人
宗安慧 奈良淳史
申请人
捷客斯金属株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C23C14/34
IPC分类号
C23C14/08
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
胡嵩麟;王海川
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化物溅射靶及其制造方法、以及使用该氧化物溅射靶形成的氧化物薄膜 [P]. 
奈良淳史 ;
宗安慧 .
中国专利 :CN111164233B ,2020-05-15
[2]
氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P]. 
奈良淳史 ;
关秀人 .
中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03
[3]
氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 [P]. 
奈良淳史 ;
关秀人 .
中国专利 :CN107207356B ,2017-09-26
[4]
氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法 [P]. 
川岛浩和 ;
矢野公规 ;
宇都野太 ;
井上一吉 .
中国专利 :CN103233204A ,2013-08-07
[5]
氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法 [P]. 
川岛浩和 ;
矢野公规 ;
宇都野太 ;
井上一吉 .
中国专利 :CN102105619B ,2011-06-22
[6]
氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P]. 
陆田雄也 ;
梅本启太 .
中国专利 :CN114616218A ,2022-06-10
[7]
氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P]. 
野中荘平 ;
森理恵 ;
长尾昌芳 .
中国专利 :CN110352263A ,2019-10-18
[8]
氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法 [P]. 
梅本启太 ;
陆田雄也 ;
白井孝典 ;
井尾谦介 .
中国专利 :CN112567065A ,2021-03-26
[9]
氧化物烧结体、溅射靶及氧化物薄膜 [P]. 
寺村享祐 .
中国专利 :CN111448336B ,2020-07-24
[10]
氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法 [P]. 
寺村享祐 ;
深川功儿 .
中国专利 :CN110770191B ,2020-02-07