一种薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210249609.3

申请日：

2012-07-18

公开(公告)号：

CN102751387B

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

范平梁广兴曹鹏举郑壮豪

申请人：

申请人地址：

518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

C23C1406 C23C1434

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所 44268

代理人：

刘文求

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367518675 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012102496093 申请日:20120718
2012-10-24	公开	公开
2016-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜太阳能电池吸收层CuInSe2薄膜的制备方法 [P].

范平 ;

梁广兴 ;

郑壮豪 ;

张东平 ;

蔡兴民 .

中国专利 :CN101777604A ,2010-07-14

[2]

一种制备薄膜太阳能电池吸收层的方法 [P].

张弓 ;

庄大明 ;

张宁 ;

段宇波 ;

宋军 .

中国专利 :CN101728461A ,2010-06-09

[3]

薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

徐亚伟 .

中国专利 :CN101834221B ,2010-09-15

[4]

一种太阳能电池吸收层薄膜制造方法 [P].

徐维键 .

中国专利 :CN112185806A ,2021-01-05

[5]

CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

李丽波 ;

李琦 ;

王华林 ;

徐妍 .

中国专利 :CN103531663B ,2014-01-22

[6]

薄膜太阳能电池光吸收层及其制备方法 [P].

庄大明 ;

赵明 ;

李晓龙 ;

郭力 ;

孙汝军 ;

詹世璐 ;

张冷 .

中国专利 :CN104810417A ,2015-07-29

[7]

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

魏爱香 ;

刘军 ;

赵湘辉 ;

招瑜 ;

刘俊 .

中国专利 :CN102856433B ,2013-01-02

[8]

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

魏爱香 ;

刘军 ;

赵湘辉 ;

招瑜 ;

刘俊 .

中国专利 :CN102634767A ,2012-08-15

[9]

太阳能电池吸收层薄膜结构 [P].

谢祥渊 ;

周德才 .

中国专利 :CN202917501U ,2013-05-01

[10]

一种制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池吸收层的工艺 [P].

果世驹 ;

王璐鹏 ;

杨永刚 ;

聂洪波 ;

王延来 .

中国专利 :CN101101939A ,2008-01-09

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