CMOS图像传感器的像素单元的形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200610147318.8
申请日
2006-12-15
公开(公告)号
CN100517651C
公开(公告)日
2008-06-18
发明(设计)人
杨建平 霍介光
申请人
申请人地址
201203上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21822
IPC分类号
H01L21265 H01L27146
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
逯长明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
CMOS图像传感器的形成方法 [P]. 
霍介光 ;
杨建平 .
中国专利 :CN101304005A ,2008-11-12
[2]
CMOS图像传感器及其形成方法 [P]. 
霍介光 .
中国专利 :CN101399223A ,2009-04-01
[3]
CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器 [P]. 
孙德明 .
中国专利 :CN120035242A ,2025-05-23
[4]
CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P]. 
罗文哲 ;
王林 ;
汪立 .
中国专利 :CN103413817A ,2013-11-27
[5]
CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P]. 
罗文哲 ;
王林 ;
汪立 .
中国专利 :CN103413816A ,2013-11-27
[6]
CMOS图像传感器的形成方法 [P]. 
徐涛 ;
付文 .
中国专利 :CN113823650A ,2021-12-21
[7]
用于CMOS图像传感器的像素单元 [P]. 
T·C·冯 ;
Y·M·王 .
韩国专利 :CN118016682A ,2024-05-10
[8]
图像传感器的像素单元及其形成方法 [P]. 
饶金华 ;
张克云 .
中国专利 :CN103811510A ,2014-05-21
[9]
CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器 [P]. 
郭同辉 ;
唐冕 ;
陈杰 ;
刘志碧 ;
旷章曲 .
中国专利 :CN103139498B ,2013-06-05
[10]
CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P]. 
杨龙康 ;
林宗德 ;
黄仁德 .
中国专利 :CN110491891A ,2019-11-22