CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310353595.4

申请日：

2013-08-14

公开(公告)号：

CN103413817A

公开(公告)日：

2013-11-27

发明(设计)人：

罗文哲王林汪立

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴靖靓;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	授权	授权
2013-11-27	公开	公开
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101555325757 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2013103535954 申请日:20130814
2020-05-12	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/146 变更事项:专利权人变更前:昆山锐芯微电子有限公司变更后:锐芯微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:215300 江苏省苏州市昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室变更后:215300 江苏省苏州市昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室

共 50 条

[1]

CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

罗文哲 ;

王林 ;

汪立 .

中国专利 :CN103413816A ,2013-11-27

[2]

CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

杨龙康 ;

林宗德 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN110491891A ,2019-11-22

[3]

CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

魏琰 ;

宋化龙 ;

马燕春 .

中国专利 :CN104517976A ,2015-04-15

[4]

像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器 [P].

林杰 .

中国专利 :CN121078816A ,2025-12-05

[5]

图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法 [P].

黄斌冰 ;

张磊 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 ;

顾珍 ;

董立群 .

中国专利 :CN111785749A ,2020-10-16

[6]

图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法 [P].

黄斌冰 ;

张磊 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112259569A ,2021-01-22

[7]

CMOS图像传感器的像素单元的形成方法 [P].

杨建平 ;

霍介光 .

中国专利 :CN100517651C ,2008-06-18

[8]

CMOS图像传感器及其形成方法 [P].

霍介光 .

中国专利 :CN101399223A ,2009-04-01

[9]

CMOS图像传感器的形成方法 [P].

霍介光 ;

杨建平 .

中国专利 :CN101304005A ,2008-11-12

[10]

CMOS图像传感器的像素结构及像素结构的形成方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112331686A ,2021-02-05

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