像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410691932.9

申请日：

2024-05-30

公开(公告)号：

CN121078816A

公开(公告)日：

2025-12-05

发明(设计)人：

林杰

申请人：

中芯国际集成电路制造（天津）有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

300385 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号

IPC主分类号：

H10F39/12

IPC分类号：

H10F39/18

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-05	公开	公开
2025-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/12申请日:20240530

共 50 条

[1]

CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

罗文哲 ;

王林 ;

汪立 .

中国专利 :CN103413817A ,2013-11-27

[2]

CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

罗文哲 ;

王林 ;

汪立 .

中国专利 :CN103413816A ,2013-11-27

[3]

CMOS图像传感器的像素结构及像素结构的形成方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112331686A ,2021-02-05

[4]

CMOS图像传感器的像素结构及像素结构的形成方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112331686B ,2024-05-10

[5]

CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

魏琰 ;

宋化龙 ;

马燕春 .

中国专利 :CN104517976A ,2015-04-15

[6]

图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法 [P].

黄斌冰 ;

张磊 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 ;

顾珍 ;

董立群 .

中国专利 :CN111785749A ,2020-10-16

[7]

图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法 [P].

黄斌冰 ;

张磊 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112259569A ,2021-01-22

[8]

CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

杨龙康 ;

林宗德 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN110491891A ,2019-11-22

[9]

CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器 [P].

孙德明 .

中国专利 :CN120035242A ,2025-05-23

[10]

CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器 [P].

吕涛 ;

徐新楠 ;

付园园 ;

任张强 .

中国专利 :CN110971846A ,2020-04-07

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