一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210169399.7

申请日：

2012-05-28

公开(公告)号：

CN102703966A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

陈启生颜君毅姜燕妮

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区北四环西路15号

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390

代理人：

王艺

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	授权	授权
2012-10-03	公开	公开
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353336862 IPC(主分类):C30B 11/00 专利申请号:2012101693997 申请日:20120528

共 50 条

[1]

轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置 [P].

刘熙 ;

严成峰 ;

忻隽 ;

孔海宽 ;

肖兵 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103184512B ,2013-07-03

[2]

一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置 [P].

姚秋鹏 ;

皮孝东 ;

徐所成 ;

王亚哲 ;

陈鹏磊 ;

程周鹏 .

中国专利 :CN216473576U ,2022-05-10

[3]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P].

王海涛 ;

乔帅帅 .

中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29

[4]

一种具有温度梯度调整作用的碳化硅单晶生长装置 [P].

乔松 ;

杨昆 ;

高宇 ;

郑清超 .

中国专利 :CN206244915U ,2017-06-13

[5]

一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法 [P].

王波 ;

陈小龙 ;

彭同华 ;

鲍慧强 ;

刘春俊 ;

李龙远 ;

王刚 .

中国专利 :CN101985773A ,2011-03-16

[6]

一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的生长方法 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN111748844A ,2020-10-09

[7]

一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法 [P].

杨祥龙 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

胡小波 ;

于国建 .

中国专利 :CN111910246A ,2020-11-10

[8]

一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法 [P].

杨祥龙 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

胡小波 ;

于国建 .

中国专利 :CN111910246B ,2025-03-14

[9]

碳化硅单晶生长装置 [P].

崔殿鹏 .

中国专利 :CN111748843B ,2020-10-09

[10]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110331437B ,2019-10-15

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