一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236735.3

申请日：

2009-11-05

公开(公告)号：

CN101985773A

公开(公告)日：

2011-03-16

发明(设计)人：

王波陈小龙彭同华鲍慧强刘春俊李龙远王刚

申请人：

申请人地址：

832000 新疆维吾尔自治区石河子市石河子开发区东幸福路98-1号（天富高科技园区）

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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共 50 条

[1]

一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法 [P].

杨祥龙 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

胡小波 ;

于国建 .

中国专利 :CN111910246A ,2020-11-10

[2]

一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法 [P].

杨祥龙 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

胡小波 ;

于国建 .

中国专利 :CN111910246B ,2025-03-14

[3]

碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法 [P].

小柳直树 ;

小古井久雄 .

中国专利 :CN102057084B ,2011-05-11

[4]

一种用于碳化硅单晶生长的籽晶处理方法 [P].

乔松 ;

杨继胜 ;

杨昆 ;

高宇 ;

郑清超 .

中国专利 :CN106757321A ,2017-05-31

[5]

碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统 [P].

陈小龙 ;

王国宾 ;

郭建刚 ;

李辉 ;

王文军 ;

盛达 .

中国专利 :CN116288647B ,2025-08-26

[6]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P].

王海涛 ;

乔帅帅 .

中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29

[7]

碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法 [P].

雍庆 ;

娄艳芳 ;

刘春俊 ;

王光明 ;

姚静 ;

张宁 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN113789572B ,2021-12-14

[8]

一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 [P].

谢雪健 ;

王兴龙 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

胡小波 .

中国专利 :CN115573030A ,2023-01-06

[9]

一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 [P].

谢雪健 ;

王兴龙 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

胡小波 .

中国专利 :CN115573030B ,2025-03-07

[10]

碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块 [P].

谷小桃 ;

矢野孝幸 ;

藤本辰雄 ;

柘植弘志 ;

龟井一人 ;

楠一彦 ;

关和明 .

中国专利 :CN107208311B ,2017-09-26

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-16	公开	公开
2011-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101149911860 IPC(主分类):C30B 23/00 专利申请号:2009102367353 申请日:20091105
2020-01-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 23/00 登记生效日:20200106 变更事项:专利权人变更前权利人:新疆天科合达蓝光半导体有限公司变更后权利人:新疆天科合达蓝光半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:832000 新疆维吾尔自治区石河子市石河子开发区东幸福路98-1号（天富高科技园区）变更后权利人:832000 新疆维吾尔自治区石河子市石河子开发区东幸福路98-1号（天富高科技园区）变更事项:共同专利权人变更前权利人:北京天科合达半导体股份有限公司中国科学院物理研究所变更后权利人:北京天科合达半导体股份有限公司
2016-03-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101728488622 IPC(主分类):C30B 23/00 专利号:ZL2009102367353 变更事项:专利权人变更前:新疆天科合达蓝光半导体有限公司变更后:新疆天科合达蓝光半导体有限公司变更事项:地址变更前:832000 新疆维吾尔自治区石河子市石河子开发区东幸福路98-1号(天富高科技园区) 变更后:832000 新疆维吾尔自治区石河子市石河子开发区东幸福路98-1号(天富高科技园区) 变更事项:专利权人变更前:北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所变更后:北京天科合达半导体股份有限公司;中国科学院物理研究所
2013-12-18	授权	授权