碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680009053.7

申请日：

2016-02-18

公开(公告)号：

CN107208311B

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

谷小桃矢野孝幸藤本辰雄柘植弘志龟井一人楠一彦关和明

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2302

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈建全

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-26	公开	公开
2019-12-10	授权	授权
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20160218

共 50 条

[1]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[2]

碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

中林正史 ;

下村光太 ;

永畑幸雄 ;

小岛清 .

中国专利 :CN105658846A ,2016-06-08

[3]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[4]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[5]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 [P].

佐藤信也 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 ;

中林正史 .

中国专利 :CN107002281A ,2017-08-01

[6]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[7]

碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P].

近藤宏行 ;

恩田正一 ;

木藤泰男 ;

渡边弘纪 .

中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18

[8]

碳化硅单晶制造方法及碳化硅单晶制造装置 [P].

榊原聪真 ;

堀合慧祥 .

日本专利 :CN120945486A ,2025-11-14

[9]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P].

別役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

堀合慧祥 ;

冈本武志 .

日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05

[10]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN104278322A ,2015-01-14

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