晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD沉积工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610852529.5

申请日：

2016-09-27

公开(公告)号：

CN106435522A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

许烁烁刘良玉舒庆予

申请人：

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16517 H01L310216 H01L3118

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

周长清;张鲜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708779649 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2016108525295 申请日:20160927
2019-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

晶硅PERC太阳电池双面钝化方法 [P].

刘娟 .

中国专利 :CN109888057A ,2019-06-14

[2]

氧化碲钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

谢一博 ;

李林华 .

中国专利 :CN118867046A ,2024-10-29

[3]

一种晶硅太阳电池钝化膜的制备方法 [P].

郑新霞 ;

方霆 .

中国专利 :CN104362185A ,2015-02-18

[4]

双面钝化高效硅太阳电池 [P].

周之斌 ;

高振华 ;

周金莲 ;

孙娜娜 ;

杨健 ;

韩冰 ;

熊友权 ;

童朝俊 ;

李友杰 ;

金苇 ;

郭明星 .

中国专利 :CN202103060U ,2012-01-04

[5]

一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法 [P].

丁建宁 ;

李绿洲 .

中国专利 :CN113328011B ,2021-08-31

[6]

一种晶硅太阳电池表面钝化材料 [P].

杨新波 ;

高锟 .

中国专利 :CN114944433A ,2022-08-26

[7]

一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法 [P].

丁建宁 ;

袁宁一 ;

叶枫 .

中国专利 :CN109216473B ,2019-01-15

[8]

一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

吕文辉 ;

王行柱 ;

朱训进 ;

吴卫平 ;

黄维扬 .

中国专利 :CN106449813A ,2017-02-22

[9]

一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺 [P].

涂宏波 ;

李茂林 ;

王学林 ;

陈世明 ;

刘自龙 ;

李仙德 ;

陈康平 ;

金浩 .

中国专利 :CN103400890A ,2013-11-20

[10]

用于钝化发射极背面接触晶硅太阳电池的返工工艺 [P].

缪若文 ;

陈丽萍 ;

王丹 ;

陆红艳 ;

黄海涛 ;

陈如龙 .

中国专利 :CN105047765A ,2015-11-11

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