硫族化合物多晶原料的两步合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910019454.2

申请日：

2009-10-20

公开(公告)号：

CN101671847B

公开(公告)日：

2010-03-17

发明(设计)人：

陶绪堂王善朋刘贯东将民华

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C01B1900

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

王书刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-17	公开	公开
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001374046 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2009100194542 申请日:20091020
2011-10-12	授权	授权

共 50 条

[1]

硫族化合物的高压釜合成方法 [P].

陶绪堂 ;

王善朋 ;

董春明 ;

蒋民华 .

中国专利 :CN1924113A ,2007-03-07

[2]

由呋喃化合物两步合成吡咯化合物 [P].

K·M·拉森 .

美国专利 :CN117881658A ,2024-04-12

[3]

二维过渡金属硫族化合物的合成方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN112678826B ,2021-04-20

[4]

铅的硫族化合物半导体单晶的制备方法 [P].

张建成 ;

吴汶海 .

中国专利 :CN100344802C ,2006-02-22

[5]

一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法 [P].

刘开辉 ;

左勇刚 ;

刘灿 .

中国专利 :CN113511681B ,2021-10-19

[6]

纳米硫属化合物的溶剂热合成方法 [P].

俞书宏 ;

钱逸泰 .

中国专利 :CN1275525A ,2000-12-06

[7]

四元硫锂化合物多晶体的合成容器与合成方法 [P].

黄巍 ;

何知宇 ;

陈宝军 ;

朱世富 ;

赵北君 .

中国专利 :CN111041559A ,2020-04-21

[8]

II-VI族化合物半导体多晶的合成方法 [P].

朝日聪明 ;

野田朗 .

中国专利 :CN102859051B ,2013-01-02

[9]

硒钡化合物多晶的合成容器及合成方法 [P].

黄巍 ;

汪驰 ;

唐国洪 ;

李晓阳 ;

何知宇 ;

陈宝军 .

中国专利 :CN120443347A ,2025-08-08

[10]

改性金属硫族化合物的制备方法及发光器件 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN109599505B ,2019-04-09

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