硫族化合物的高压釜合成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200610068497.6
申请日
2006-08-31
公开(公告)号
CN1924113A
公开(公告)日
2007-03-07
发明(设计)人
陶绪堂 王善朋 董春明 蒋民华
申请人
申请人地址
250061山东省济南市历下区经十路73号
IPC主分类号
C30B112
IPC分类号
C30B2946 C01B1720
代理机构
济南圣达专利商标事务所
代理人
王吉勇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
硫族化合物多晶原料的两步合成方法 [P]. 
陶绪堂 ;
王善朋 ;
刘贯东 ;
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[2]
二维过渡金属硫族化合物的合成方法 [P]. 
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杜志国 .
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[3]
铅的硫族化合物半导体单晶的制备方法 [P]. 
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[4]
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陈冬 ;
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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迈克尔·许 ;
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