一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010561021.2

申请日：

2010-11-26

公开(公告)号：

CN102115878B

公开(公告)日：

2011-07-06

发明(设计)人：

刘键饶志鹏夏洋石莎莉

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

IPC主分类号：

C23C1636

IPC分类号：

C30B2500 C30B2938

代理机构：

北京市德权律师事务所 11302

代理人：

王建国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101098308135 IPC(主分类):C23C 16/36 专利申请号:2010105610212 申请日:20101126
2011-07-06	公开	公开
2012-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 [P].

夏洋 ;

饶志鹏 ;

万军 ;

刘键 ;

李超波 ;

陈波 ;

黄成强 ;

石莎莉 ;

李勇滔 .

中国专利 :CN102321919A ,2012-01-18

[2]

一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法 [P].

刘键 ;

饶志鹏 ;

夏洋 ;

石莎莉 .

中国专利 :CN101985744A ,2011-03-16

[3]

一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 [P].

饶志鹏 ;

万军 ;

夏洋 ;

陈波 ;

李超波 ;

石莎莉 ;

李勇滔 ;

李楠 .

中国专利 :CN103205806B ,2013-07-17

[4]

一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 [P].

饶志鹏 ;

夏洋 ;

万军 ;

李超波 ;

陈波 ;

刘键 ;

江莹冰 ;

石莎莉 ;

李勇滔 .

中国专利 :CN103205805A ,2013-07-17

[5]

一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法 [P].

刘键 ;

饶志鹏 ;

夏洋 ;

石莎莉 .

中国专利 :CN102011103B ,2011-04-13

[6]

一种制备氮化碳薄膜的方法 [P].

汪建新 ;

闫浩然 ;

姜崇喜 ;

杨国强 ;

陈太军 ;

陈迪 .

中国专利 :CN105331949B ,2016-02-17

[7]

一种氮化铝薄膜的制备方法 [P].

饶志鹏 ;

万军 ;

夏洋 ;

李超波 ;

刘键 ;

陈波 ;

黄成强 ;

石莎莉 ;

李勇滔 .

中国专利 :CN102296278A ,2011-12-28

[8]

一种氮化碳薄膜材料及其制备方法 [P].

刘彦菊 ;

冷劲松 ;

王雪婷 ;

张风华 .

中国专利 :CN109536918A ,2019-03-29

[9]

一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法 [P].

姜礼华 ;

彭宇 ;

汪涛 ;

肖婷 ;

向鹏 ;

谭新玉 .

中国专利 :CN108165952A ,2018-06-15

[10]

一种半导体氮化碳薄膜的制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

甘鑫 ;

王旭阳 ;

黄正宏 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105925954B ,2016-09-07

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