光阻去除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010102305.5

申请日：

2010-01-27

公开(公告)号：

CN102135733A

公开(公告)日：

2011-07-27

发明(设计)人：

孙武

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F736

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-27	公开	公开
2013-02-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101511598459 IPC(主分类):G03F 7/36 专利号:ZL2010101023055 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20130107
2011-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101104510951 IPC(主分类):G03F 7/36 专利申请号:2010101023055 申请日:20100127
2012-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

光阻去除方法 [P].

尹晓明 ;

孙武 ;

张海洋 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102135734B ,2011-07-27

[2]

用于离子植入制程的光阻层的去除方法 [P].

周育任 ;

刘景宏 .

中国专利 :CN1402316A ,2003-03-12

[3]

金属镶嵌制程的去除光阻的方法 [P].

吴至宁 .

中国专利 :CN1431687A ,2003-07-23

[4]

有机光阻去除剂组合物 [P].

王俪颕 ;

苏国祯 ;

张明钦 ;

涂胜宏 .

中国专利 :CN101866118A ,2010-10-20

[5]

一种光阻的去除方法和装置 [P].

杨昱霖 ;

陈宏玮 .

中国专利 :CN114935880A ,2022-08-23

[6]

一种晶片光阻去除装置 [P].

罗刚 ;

刘剑荣 ;

康龙 ;

朱帅 ;

董国庆 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN218181320U ,2022-12-30

[7]

降低硅凹陷的光阻去除工艺 [P].

李芳 ;

刘文燕 ;

方精训 .

中国专利 :CN103824770B ,2014-05-28

[8]

光阻的去除方法、半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李敏 .

中国专利 :CN105448670A ,2016-03-30

[9]

接触孔制备过程中光阻的去除方法 [P].

包德君 ;

黄庆丰 ;

孙凌 ;

王俊杰 .

中国专利 :CN102290371A ,2011-12-21

[10]

制作半导体互连结构的方法 [P].

孙武 .

中国专利 :CN102148190A ,2011-08-10

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